2026年5月26日美光HBM4量产提速及其原因解析
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量产爬坡速度翻倍
美光科技全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚, 于摩根大通投资者会议上进行了披露, HBM4的量产爬坡速度, 在2026年5月时, 已达到去年12层HBM3E产品的约两倍, 而此时美光正为英伟达Vera Rubin AI计算平台全力在供货。
同样显著的还有良率提升速度, 美光觉得这是因之前 HBM3 跟 12 层 HBM3E 量产积攒的经验所致。该公司在韩国平泽工厂的产能扩张计划在顺利往前推进, 预计在今年内会大幅提高 HBM4 出货量。
三大技术核心驱动
将美光把HBM4量产速度提升归结为三个关键要素, 首先, HBM3以及HBM3E的量产经历给新一代产物带来了学习效果, 从而削减了工艺调试时长。
美光10纳米级第五代1β工艺被用于HBM4核心裸片, 此工艺当下是公司的主力, 1β在性能以及良率层面呈现出稳定性，进而成为HBM4快速形成大规模生产数量的技术基础。
基础裸片自主设计优势
美光着重指出, 其内在进行优化的那种基于基础裸片的设计乃是第三大优势所在, 借由运用1β DRAM并搭配自行制造的基础裸片, 美光得以进一步提高产品整体的质量以及性能。
存在着这样一种垂直整合之策略, 此策略使得美光于HBM4的生产进程当中, 能够获取到更大程度的控制权, 相较于那些竞争对手而言, 在供应链协调这一方面是更有灵活性的。巴蒂亚宣称, 公司达成了基础裸片与核心裸片的无缝对接。
HBM4E策略重大调整
美光会从下一代HBM4E伊始, 去调整部分生产策略, 核心裸片会改用10纳米级第六代1γ工艺, 这是美光头一回采用ASML极紫外光刻设备。
需要留意的是, HBM4E的基础裸片往后将不会再由美光自身去生产, 而是转变为由台积电来进行代工。巴蒂亚披露, 首批产品会采用JEDEC标准, 并且去开发定制版本用以满足客户需求。
竞争对手进度对比
三星电子打算在2026年第二季度去供应首批HBM4E样品, 其基础裸片会让三星晶圆代工部门运用4纳米工艺来制造。SK海力士却是计划在下半年给客户送去样品, 于明年开启量产。
基础裸片生产仍会由台积电来负责SK海力士, 采用的是3纳米工艺。在HBM4E领域, 三大巨头的竞逐已然达到白热化程度, 美光因HBM4良率具备优势从而抢占得先机。
1γ工艺成未来主力
美光做出预测, 到2026年年中时, 基于1γ工艺去生产的DRAM, 还有第九代NAND闪存产品, 将会占据公司总位元出货量的一半还要多。1γ DRAM有希望成为美光晶圆产量最大的单个工艺节点。
根据技术路线图所呈现的情况来看, 美光这种情况是正在加快速度, 从传统工艺朝着先进节点这个方向进行转型。巴蒂亚着重表明, 公司已经针对HBM4E量产做好了足够充分的准备, 预计在2027年的时候将会正式开启商业化出货。
在这场被称作HBM4E的内存大战里头, 美光有没有可能借助那1γ工艺以及台积电代工的策略, 去战胜三星还有SK海力士呢? 欢迎诸位在评论区域分享个人的看法喲, 麻烦顺便点个赞再转发一下这篇文章以使更多人能够参与到讨论当中来呀！
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