消息称英伟达Rubin Ultra AI加速器放弃4-Die方案

IT之家 7 月 1 日讯，消息知名半导体分析师 @SemiAnalysis_ 于 6 月 30 日在 X 平台爆料，称英受限于制造执行层面的伟达挑战，英伟达原计划于 2027 年发布的加速 Rubin Ultra AI 加速器已决定放弃 4-Die（四裸片）封装方案，转而采用更易于量产的器放弃 2-Die（双裸片）方案。

IT之家科普：Die（中文常译为裸片、消息裸晶、称英晶粒或芯片）是伟达指从整片圆形硅晶圆（Wafer）上，通过精密切割（Dicing）工艺分离下来的加速、具备完整集成电路（IC）功能的器放弃小型方块。

据消息源透露，消息英伟达因“制造执行方面的称英担忧”而调整设计策略，选择转向量产难度较低的伟达 2-Die 版本。媒体分析指出，加速这一决策主要源于先进封装、器放弃散热管理及显存配置等多重技术瓶颈。

在先进封装领域，4-Die 连接方案的尺寸已逼近光罩极限，对现有的先进封装技术提出了极高的工程要求。而在散热与成本方面，4-Die 架构需搭配 16 个 HBM4E 高带宽内存，这不仅导致散热难度急剧上升，也推高了整体制造成本。

性能影响方面，改用 2-Die 方案后，新版 Rubin Ultra 的理论性能预计仅为原 4-Die 方案的一半。这一性能折损可能会削弱其在与 AMD Instinct MI500 系列产品的市场竞争中的优势地位。

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